真空提純爐
應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，金屬材料的提純結(jié)晶，金屬材料的純度影響半導(dǎo)體芯片等產(chǎn)品的導(dǎo)電性能，故濺射靶材對(duì)金屬材料的純度提出了相當(dāng)高的要求。設(shè)備由多級(jí)加熱室組成，每級(jí)加熱室的溫度不同，通過(guò)多溫度段加熱實(shí)現(xiàn)不同蒸發(fā)物在不同位置的結(jié)晶收集。
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真空提純爐
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真空提純爐
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設(shè)備用途及特征：
應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，金屬材料的提純結(jié)晶，金屬材料的純度影響半導(dǎo)體芯片等產(chǎn)品的導(dǎo)電性能，故濺射靶材對(duì)金屬材料的純度提出了相當(dāng)高的要求。設(shè)備由多級(jí)加熱室組成，每級(jí)加熱室的溫度不同，通過(guò)多溫度段加熱實(shí)現(xiàn)不同蒸發(fā)物在不同位置的結(jié)晶收集。
設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)：
|
參數(shù)型號(hào) |
工作區(qū)尺寸 W×H×L(mm) |
裝載重量(不代表裝爐量)(kg) |
最高溫度(℃) |
溫度均勻性(℃) |
加熱功率(kW) |
極限真空度(Pa) |
壓升率(Pa/h) |
|
VDDS-030306 |
300×300×600 |
100 |
2200 |
±4 |
75 |
2 |
≤0.67 |
|
VDSD-040408 |
400×400×800 |
200 |
2200 |
±4 |
90 |
2 |
≤0.67 |
|
VDSD-040415 |
400×400×1500 |
400 |
2200 |
±5 |
120 |
2 |
≤0.67 |
|
VDSD-050520 |
500×500×2000 |
900 |
2200 |
±5 |
210 |
2 |
≤0.67 |
|
VDSD-060630 |
600×600×3000 |
1800 |
2200 |
±5 |
315 |
2 |
≤0.67 |
|
VDSD-070740 |
700×700×4000 |
3500 |
2200 |
±5 |
450 |
2 |
≤0.67 |
|
VDSD-080850 |
800×800×5000 |
5200 |
2200 |
±5 |
600 |
2 |
≤0.67 |
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